参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGWT60V60DFn:
说明	通用MOSFET   TO-3P-3,SC-65-3
起订量	300
最小包	300
现货	995 [库存更新时间：2025-04-05]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极（Ic）（最大值）	80A
脉冲电流-集电极(Icm)	240A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.3V @ 15V,60A
Pd-功率耗散(Max)	375W
开关能量	750µJ(开),550µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	60ns/208ns
测试条件	400V,60A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	74ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-3P-3,SC-65-3